单晶炉简介：
单晶炉构成
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提拉头：主要由安装盘 减速机 籽晶腔 划线环 电机 磁流体 籽晶称重头 软波纹管等其他部件组成
副室：主要是副室筒以及上下法兰组成
炉盖：副室连接法兰，翻板阀，观察窗 抽真空管道 组成
炉筒：包括取光孔
下炉筒：包括抽真空管道
底座机架：全铸铁机架和底座
坩埚下传动装置：主要由磁流体 电机 坩埚支撑轴 减速机 软波纹管 立柱 上下传动支撑架 导轨 等部件组成
分水器已经水路布置：包括分水器，进水水管，若干胶管 水管卡套等
氩气管道布置：质量流量计 3根以上的柔性管 不锈钢管 3个压力探测器 高密封性卡套 等部件
真空泵以及真空除尘装置：油压真空泵 水环真空泵 过滤器 真空管道 硬波纹管等
电源以及电控柜：电源柜 滤波柜 控制柜 以及连接线
原理
首先，把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚，通过石墨加热器产生的高温将其熔化；然后，对熔化的硅液稍做降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长；接着，控制籽晶生长出一段长为100mm左右、直径为3～5mm的细颈，用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程就是引晶；随后，放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩；接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角；然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度，生长出一定直径规格大小的单晶柱体；最后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程就基本完成，进行一定的保温冷却后就可以取出。
直拉法，也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法，用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单，容易实现自动控制，生产效率高，易于制备大直径单晶，容易控制单晶中杂质浓度，可以制备低电阻率单晶。据统计，世界上硅单晶的产量中70%～80%是用直拉法生产的。
